国家知识产权局信息显示，广微集成技术（深圳）有限公司申请一项名为“一种肖特基二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121357922A，申请日期为2025年11月。 专利摘要显示，本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂N型衬底层及形成于其上表面的轻掺杂N型外延层，轻掺杂N型外延层的上部设有沟槽结构，沟槽结构内填充有掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为掺杂P型杂质的多晶硅，掺杂多晶硅作为固相扩散源，通过对掺杂多晶硅进行固相扩散，以向轻掺杂N型外延层扩散P型杂质，以于沟槽结构的侧壁和底